在昨天的业绩会议上公布第三季度财务报告后，TSMC还透露了先进制造工艺的最新进展。

关于大家最关心的3nm，第一代计划明年下半年投产。同时还有3nm的增强版，计划2023年下半年投产。显然，这个节奏很可能会对应最大客户苹果的A16和A17处理器。

ldquoErdquo说实话，后缀还是比较新鲜的。毕竟7nm增强版和5nm增强版都用ldquoPrdquo作为后缀，我不知道E代表更好还是更差，但我仔细猜测是后者。

根据之前公开的信息，第一代在3纳米的功耗将比5纳米低25-30%，性能将提高10-15%，晶体管密度将提高70%。在垂直比较中，从小于5纳米到7纳米的变化坦率地说是令人失望的。

此外，对于一些有特定需求的客户，TSMC还有4nm在准备中，可以算是5nm的改进版，晶体管密度提升6%，制造工艺简化，换句话说，良率会更高。

在微观层面，TSMC的3纳米仍然是FinFET晶体管结构，这有望成为FinFET的谢幕。英特尔、三星和TSMC都将过渡到GAA晶体管，其中英特尔称之为RibbonFET，拥有独家的PowerVia背电路技术。